碳化硅載盤-圓產品介紹
碳化硅載盤，也稱碳化硅托盤、SIC托盤，碳化硅蝕刻盤，ICP蝕刻盤。在半導體行業具有廣泛應用，CVD、RTP/RTA、真空濺射、刻蝕、蒸鍍、氣體沉淀等，比如，在對襯底進行刻蝕時，需通過碳化硅載盤承載半導體襯底。
碳化硅具有耐高溫（1500℃）、高比剛度、低的熱膨脹系數以及極佳的化學惰性，使其在光伏、半導體、新能源、航空航天工業中高溫、高腐蝕、高精度工況中應用廣泛。如碳化硅研磨盤應用于硅片拋光領域，比傳統的剛玉拋光盤壽命提高2-3倍。碳化硅筒體耐高溫、耐磨應用在高溫硅料生產的傳輸通道，在生產過程中不會污染硅料，保證產品品質。
碳化硅載盤材質成分是純SiC（純度＞99.9%），與石墨基載盤相比，其使用壽命是后者的四倍，且長期使用不變形，穩定性好，能夠耐各種強酸強堿化學試劑腐蝕（比如FH酸、濃H2SO4）。SiC載盤還具有優秀的導熱性、低膨脹系數，抗熱沖擊性佳，耐電漿沖擊性等特點。
碳化硅載盤是采用高純超細碳化硅微粉，通過靜壓工藝成型、經2450℃高溫燒結而制成?？筛鶕脩粼O計圖紙要求進行外徑、厚度尺寸，穴位數量、尺寸、取片槽位置和形狀進行精加工，以滿足用戶的具體使用要求。
碳化硅載盤主要特點有：
1.耐高溫--1800℃溫度下正常使用；
2.高熱導性--和石墨材料的導熱性相當；
3.硬度高--硬度僅次于金剛石、立方氮化硼；
4.耐腐蝕--強酸、強堿對其無任何腐蝕，抗腐蝕性優于碳化鎢和氧化鋁；
5.重量輕--密度3.10g/cm3,與鋁接近；
6.不變形--極小的熱膨脹系數；
7.抗熱震--該材料可承受急劇的溫度變化，抗熱沖擊，耐急冷急熱，性能穩定。
碳化硅載盤主要應用領域：
LED芯片制造中的RTP/RTA快速高溫熱處理工藝、CVD、MOCVD、真空磁控濺射、刻蝕、蒸鍍、氣體沉淀。
基本參數
| 內容 | 單位 | 參數 |
| 碳化硅含量（Composition ：SIC） | VOL% | 99.2-99.99 |
| 密度20℃（Density 20℃） | g/cm3 | ≥3.10 |
| 抗彎強度20℃（Flexural Strength 20℃） | MPa | 320-400 |
| 抗彎強度1300℃（Flexural Strength 1300℃） | MPa | 360-410 |
| 熱膨脹系數(Coefficient of thermal ) | 10(-6)*k(-1) | 4.0 |
| 熱導率20℃(Thermal conductivity 20℃) | W.m(-1)*k(-1) | 140 |
| 最高使用溫度 | ℃ | 1900 |
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| 內容 | 參數 |
| 材料 | 純硅 SiC |
| 晶圓直徑 | 100/125/150/200/300mm或根據客戶要求定制 |
| 晶圓厚度 | 250~750um+25um或根據客戶要求定制 |
| 口徑大小和形狀 | 根據客戶要求定制 |
| 口徑深度 | 200~500um或視基盤厚度深度可調 |
| 平/或缺口 | Available |
| 其他 | 可加工異形槽、方形槽等，根據客戶設計要求定制 |
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